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IXYS Diode Traversante, 11A, 1200V, TO-220AC

About The IXYS Diode traversante, 11A, 1200V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 2.6V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 70ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 80A, MPN: DSEI12-12A

IXYS Diode traversante, 11A, 1200V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 2.6V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 70ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 80A, MPN: DSEI12-12A

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

IXYS Diode Traversante, 11A, 1200V, TO-220AC

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Specifications of IXYS Diode Traversante, 11A, 1200V, TO-220AC

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IXYS Diode Traversante, 11A, 1200V, TO-220AC
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ROHM Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, MPN: BC847BHZGT116

ROHM Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, MPN: BC847BHZGT116

ROHM Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches.

    • Regatta Professional Veste polaire TRF541, Femme, Noir, taille 14, en Polaire, MPN: TRF541 800 14L

    Regatta Professional Veste polaire TRF541, Femme, Noir, taille 14, en Polaire, MPN: TRF541 800 14L

    Regatta Professional Veste polaire TRF541, Femme, Noir, taille 14, en Polaire.

    • Wolfspeed MOSFET canal N, A-247 30 A 1200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.7V, Dissipation de puissance maximum: 113,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, 19 V., Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: C3M0075120D
    • onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548CTA
    • onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548CTA