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Infineon Module IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1,, 75 A, 1200 V, Econo2, 28 Broches, Triphasé

About The Infineon Module IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1,, 75 A, 1200 V, Econo2, 28 broches, Triphasé, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 385 W, Configuration: Pont triphasé, Type de montage: Montage sur CI, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 107.5 x 45 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: FS75R12KT4_B15

Infineon Module IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1,, 75 A, 1200 V, Econo2, 28 broches, Triphasé, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 385 W, Configuration: Pont triphasé, Type de montage: Montage sur CI, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 107.5 x 45 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: FS75R12KT4_B15

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT

Infineon Module IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1,, 75 A, 1200 V, Econo2, 28 Broches, Triphasé

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Specifications of Infineon Module IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1,, 75 A, 1200 V, Econo2, 28 Broches, Triphasé

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