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Vishay Diode Traversante, 20A, 800V, TO-220AC

About The 31V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 400ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 355A, MPN: VS-20ETF08-M3.Vishay Diode traversante, 20A, 800V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Recouvrement rapide, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1

Vishay Diode traversante, 20A, 800V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Recouvrement rapide, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1.31V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 400ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 355A, MPN: VS-20ETF08-M3

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

Vishay Diode Traversante, 20A, 800V, TO-220AC

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Specifications of Vishay Diode Traversante, 20A, 800V, TO-220AC

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