onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 16 A 200 V, 3 broches, Série: UniFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 89 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDD18N20LZ
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Onsemi MOSFET ON Semiconductor Canal N, DPAK (TO-252) 16 A 200 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET ON Semiconductor Canal N, DPAK (TO-252) 16 A 200 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |