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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, DDPAK 83 A 650 V, 10 Broches

About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DDPAK 83 A 650 V, 10 broches, Série: CoolMOS™ G7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,08 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: IPDD60R080G7XTMA1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, DDPAK 83 A 650 V, 10 broches, Série: CoolMOS™ G7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,08 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: IPDD60R080G7XTMA1

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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, DDPAK 83 A 650 V, 10 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, DDPAK 83 A 650 V, 10 Broches

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