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Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 6A, 1000V, R 6

About The 2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A100G.Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 1000V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Nombre de broches: 2, Chute minimale de tension directe: 950mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Diamètre: 7

Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 1000V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Nombre de broches: 2, Chute minimale de tension directe: 950mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A100G

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 6A, 1000V, R 6

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Specifications of Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 6A, 1000V, R 6

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