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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, TO-252 49 A 700 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, TO-252 49 A 700 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ C7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,9 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IPD65R190C7ATMA1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, TO-252 49 A 700 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ C7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,9 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IPD65R190C7ATMA1

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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, TO-252 49 A 700 V, 3 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, TO-252 49 A 700 V, 3 Broches

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