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Texas Instruments Porte Logique Traversant AND/OR Quadruple PDIP, 16 Broches

About The 57mm, MPN: CD4019BE.2mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 100 ns @ 15 V, 120 ns @ 10 V, 300 ns @ 5 V, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 3 V, Dimensions: 19

Texas Instruments Porte logique Traversant AND/OR Quadruple PDIP, 16 broches, Nombre d'éléments: 4, Nombre d'entrées par porte: 2, Entrée de trigger de Schmitt: Non, Famille logique: 4000, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 18 V, Courant de sortie niveau haut maximum: -4.2mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 100 ns @ 15 V, 120 ns @ 10 V, 300 ns @ 5 V, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 3 V, Dimensions: 19.3 x 6.35 x 4.57mm, MPN: CD4019BE

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Portes logiques

Texas Instruments Porte Logique Traversant AND/OR Quadruple PDIP, 16 Broches

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Specifications of Texas Instruments Porte Logique Traversant AND/OR Quadruple PDIP, 16 Broches

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Texas Instruments Porte Logique Traversant AND/OR Quadruple PDIP, 16 Broches
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Phoenix Contact Bornier pour CI 16 contacts 1 rangée(s) pas de 3.5mm série PT, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A visser, MPN: PT 1,5/16-3,5-V
    • RS PRO Bécher, Verre borosilicate, 150ml, Graduations: Oui, Dimensions: 98 x 54mm
    • Phoenix Contact Bornier pour CI 13 contacts 1 rangée(s) pas de 3.5mm série PTSA, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: Enfichable, MPN: PTSA 1,5/13-3,5-Z
    • Vishay MOSFET canal P, SOT-23 4,7 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2343CDS-T1-GE3
    • Vishay MOSFET canal P, SOT-23 4,7 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2343CDS-T1-GE3