reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

TDK Filtro Modo Comune, 100 μH, 150 MA, SMD

About The 5Ω, Dimensioni: 3.9 x 2

TDK Filtro modo comune, 100 μH, 150 mA, SMD, Serie: ACT, Impendenza: 5100 Ω, Frequenza di prova: 10 MHz, Resistenza cc: 1.5Ω, Dimensioni: 3.9 x 2.5 x 2.5mm, Gamma di temperature operative: -55°C → +150°C., Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tensione nominale: 80V, Package/Contenitore: 1210 (3225M), MPN: ACT1210-101-2P-TL00

Componenti Elettronici e Connettori > Passivi > Filtri e protezione EMI > Bobine di modo comune

TDK Filtro Modo Comune, 100 μH, 150 MA, SMD

More from TDK, TDK Filtro Modo Comune, 100 μH, 150 MA, SMD, Serie: ACT, Impendenza: 5100 Ω, Frequenza Di Prova: 10 MHz, Resistenza Cc: 1.5Ω, Dimensioni: 3.9 X 2.5 X 2.5mm, Gamma Di Temperature Operative: -55°C → +150°C., Tipo Di Montaggio: Montaggio Superficiale, Tensione Nominale: 80V, Package/Contenitore: 1210 (3225M), MPN: ACT1210-101-2P-TL00
Search

Componenti Elettronici e Connettori > Passivi > Filtri e protezione EMI > Bobine di modo comune

Specifications of TDK Filtro Modo Comune, 100 μH, 150 MA, SMD

Category
Instockinstock

Last Updated

TDK Filtro Modo Comune, 100 μH, 150 MA, SMD
More Varieties

Rating :- 8.16 /10
Votes :- 39
Microchip 16K, 2K X 8, 16B PAGE, 1.8V SER EE IND, MPN: 25AA160A-I/P

Microchip 16K, 2K X 8, 16B PAGE, 1.8V SER EE IND, MPN: 25AA160A-I/P

8V SER EE IND.Microchip 16K, 2K X 8, 16B PAGE, 1.

    • Wurth Elektronik Distanziale filettato Esagonale Femmina/Femmina, in Poliammide, L. 10mm, M3
    • IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH26N50P3
    • DiodesZetex MOSFET, canale P, 18 Ω, 260 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -40 V, +40 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVP4525GTA
    • DiodesZetex MOSFET, canale P, 18 Ω, 260 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -40 V, +40 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVP4525GTA