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Ohmite Kit, Mounting; 100 W; Washer; #10; 0.75 In. (Outer), 0.190 In. (Inner)

About The (Inner), MPN: 6001E. (Outer), 0

Ohmite Kit, Mounting; 100 W; Washer; #10; 0.75 in. (Outer), 0.190 in. (Inner), MPN: 6001E

Componenti Elettronici e Connettori > Passivi > Resistori > Rondelle isolanti per resistenze

Ohmite Kit, Mounting; 100 W; Washer; #10; 0.75 In. (Outer), 0.190 In. (Inner)

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Specifications of Ohmite Kit, Mounting; 100 W; Washer; #10; 0.75 In. (Outer), 0.190 In. (Inner)

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Ohmite Kit, Mounting; 100 W; Washer; #10; 0.75 In. (Outer), 0.190 In. (Inner)
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Ohmite Carbon Film, 1 Watt, 6.8K Ohm, 10%, MPN: OA682KE

Ohmite Carbon Film, 1 Watt, 6.8K Ohm, 10%, MPN: OA682KE

8K Ohm, 10%.Ohmite Carbon Film, 1 Watt, 6.

    • TRACOPOWER Convertitore c.c.-c.c. 1W, Vin 19,2 → 28,8 V c.c., Vout 5V cc, 5kV Sì

    TRACOPOWER Convertitore c.c.-c.c. 1W, Vin 19,2 → 28,8 V c.c., Vout 5V cc, 5kV Sì

    , Vout 5V cc, 5kV Sì, Tensione di ingresso nominale: 24 V c.

    • TRACOPOWER Convertitore c.c.-c.c. 1W, Vin 19,2 → 28,8 V c.c., Vout 3.3V cc, 5kV Sì
    • Infineon MOSFET, canale N, 7 mΩ, 130 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: IRFS4310TRLPBF
    • Infineon MOSFET, canale N, 7 mΩ, 130 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: IRFS4310TRLPBF