Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM100GB12T4
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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, Canale N, SEMITRANS2
Specifications of Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, Canale N, SEMITRANS2 | |
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