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Facom Bussola Bussola A Giunto Cardanico J.9/16F, 9/16poll 3/8 Poll., Lunghezza 30 Mm

About The , lunghezza 30 mm, Imperiale o metrico: Imperiale, Tipo di testa a bussola: 12 punte.9/16F, 9/16poll 3/8 poll

Facom Bussola Bussola a giunto cardanico J.9/16F, 9/16poll 3/8 poll., lunghezza 30 mm, Imperiale o metrico: Imperiale, Tipo di testa a bussola: 12 punte

Meccanica & Potenza fluida e Utensili > Utensili manuali > Chiavi a bussola e chiavi inglesi > Bussole

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Specifications of Facom Bussola Bussola A Giunto Cardanico J.9/16F, 9/16poll 3/8 Poll., Lunghezza 30 Mm

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Microchip Processore DSP dsPIC30F, 30MIPS, memoria Flash 1,024 kB, 48 kB, 28 Pin, SPDIP, Su foro, Larghezza del bus dati: 16bit, Dimensioni RAM: 2,048 kB, Instruction Set Architecture: RISC, Tensione di alimentazione operativa tipica: 2,5 → 5,5 V, Risoluzione ADC: 10bit, MPN: DSPIC30F4012-30I/SP
    • Ruland Collare per albero MCL-20-F, Pezzo singolo, Morsetto a vite, ampiezza Singolo, Ø asta 20mm, Ø esterno 40mm, in, Materiale: Acciaio al carbonio, Larghezza: 15mm, Finitura: Ossido nero
    • StarTech.com Armadio Rack 25U Startech in Acciaio, Tipo telaio: 4-Post, Colore: Nero, Altezza totale: 1213mm, Peso: 33kg, MPN: 4POSTRACK25U
    • Vishay MOSFET, canale N, 227 A, PowerPAK SO-8DC, Montaggio superficiale, MPN: SIDR626EP-T1-RE3

    Vishay MOSFET, canale N, 227 A, PowerPAK SO-8DC, Montaggio superficiale, MPN: SIDR626EP-T1-RE3

    Vishay MOSFET, canale N, 227 A, PowerPAK SO-8DC, Montaggio superficiale.

    • Vishay MOSFET, canale N, 35 A, TO-263, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SIHB080N60E-GE3
    • RS PRO Rondelle, in Acciaio, Ø esterno 7/8poll, Tipo di rondella: Bloccaggio
    • Facom Bussola Bussola a giunto cardanico J.9/16F, 9/16poll 3/8 poll., lunghezza 30 mm, Imperiale o metrico: Imperiale, Tipo di testa a bussola: 12 punte
    • Vishay MOSFET, canale N, 34 A, TO-263, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SIHB085N60EF-GE3
    • Facom Bussola Bussola a giunto cardanico J.9/16F, 9/16poll 3/8 poll., lunghezza 30 mm, Imperiale o metrico: Imperiale, Tipo di testa a bussola: 12 punte
    • Vishay MOSFET, canale N, 34 A, TO-263, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SIHB085N60EF-GE3