Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Modulo, Tensione massima gate emitter: +/-20V, Dissipazione di potenza massima: 680 W, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, MPN: FS150R12PT4BOSA1
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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Modulo
Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Modulo | |
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