Wurth Elektronik Strisce Per Schermatura In Grafite Nichelata, Silicone 1m X 2.5mm X 2.5mm

Name: Wurth Elektronik Strisce Per Schermatura In Grafite Nichelata, Silicone 1m X 2.5mm X 2.5mm? Wurth Elektronik
Brand: Wurth Elektronik
SKU: ABDY-285671
Price: 223.97 EUR
Availability: InStock

About The Wurth Elektronik Strisce per schermatura in Grafite nichelata, Silicone 1m x 2.5mm, MPN: 38401407

Wurth Elektronik Strisce per schermatura in Grafite nichelata, Silicone 1m x 2.5mm x 2.5mm, MPN: 38401407

Componenti Elettronici e Connettori > Passivi > Filtri e protezione EMI > Strisce per schermatura

Uneek Felpa da lavoro per Uomo, 5XL, in Cotone, poliestere, Raccordo: Maschio, Tasche: Nessuno, MPN: UC203RBL-5XL

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 2,5 Ω, 260 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.9mm, MPN: 2N7002ET1G

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Specifications of Wurth Elektronik Strisce Per Schermatura In Grafite Nichelata, Silicone 1m X 2.5mm X 2.5mm
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Last Updated January 24th, 2025 09:02 pm

Wurth Elektronik Strisce Per Schermatura In Grafite Nichelata, Silicone 1m X 2.5mm X 2.5mm

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onsemi Regolatore switching, ingresso 2.5 → 5.5V cc, uscita 3.6 V dc, 5 V dc, 5.45 V dc, 800mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero di uscite: 1, Contenitore: WLCSP, Efficienza: 93%, Rumore e ondulazione: 30mV, Temperatura massima: +85°C, Temperatura minima: -40°C, Applicazione: Potenza del modulo NFC, Profondità: 0.37mm, Lunghezza: 1.21mm, Funzioni di protezione: Protezione in modalità pass through automatica, Protezione da limite di corrente, Protezione di spegnimento termica, MPN: FAN48685UC08X

5 → 5.onsemi Regolatore switching, ingresso 2.45 V dc, 800mA.6 V dc, 5 V dc, 5.

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M3, LQFP, STM32L1, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 32MHz, Dimensione memoria programmi: 512 kB, Dimensioni RAM: 16 KB, Canali ADC: 21, Numero di canali SPI: 8, Tensione di alimentazione operativa tipica: 1,8 3,6 V, Risoluzione ADC: 12bit, ADC: 1 (21 x 12 bit), MPN: STM32L152RET6

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M3, LQFP, STM32L1, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 32MHz.

Schneider Electric CPU PLC TM168B, ingressi: 5 (analogico), 7 (digitale), uscite: 3 (analogico), 8 (relè), 23 I/O, 0, Tipo di ingresso: Analogico, digitale, Categoria di tensione: 0 → 10 V cc, Tipo di rete: ExpBUS, Tipo porta di comunicazione: RS485, Profondità: 128mm, Dimensioni: 179 x 61,5 x 128 mm, Lunghezza: 179mm, Massima temperatura operativa: +65°C, Memoria: 568 kB, Minima temperatura operativa: -20°C, Tipo di montaggio: Guida DIN, MPN: TM168B23S

Schneider Electric CPU PLC TM168B, ingressi: 5 (analogico), 7 (digitale), uscite: 3 (analogico), 8 (relè), 23 I/O, 0.

Relpol Relè di potenza serie RM87, SPDT, bobina 12V cc, Montaggio su circuito stampato, Corrente di commutazione: 12A, Latching: No, Tipo di terminale: A innesto, Tensione di commutazione massima (CA): 440V, Tensione di commutazione massima (CC): 24V cc, Lunghezza: 29mm, Resistenza bobina: 360Ω, Potenza bobina: 480mW, Materiale contatto: Lega di argento, Profondità: 12.7mm, Altezza: 15.7mm, MPN: RM87N-2011-35-1012

Relpol Relè di potenza serie RM87, SPDT, bobina 12V cc, Montaggio su circuito stampato.

TE Connectivity Resistenza serie ROX3S, 6.8kΩ, 3W, ±5%, Tecnologia: Ossido metallico, Temperatura operativa massima: +235°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: ROX3SJ6K8

TE Connectivity Resistenza serie ROX3S, 6.8kΩ, 3W, ±5%.

Abbatron Spacer; 6-32; 1/2 in.; Ceramic; 3/8 in.; Round; MIL (NL 523W01 004), MPN: 2600

Abbatron Spacer; 6-32; 1/2 in.; Ceramic; 3/8 in.; Round; MIL (NL 523W01 004).

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 2,5 Ω, 260 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.9mm, MPN: 2N7002ET1G

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 2,5 Ω, 260 mA, SOT-23, Montaggio superficiale.