Infineon Modulo IGBT, VCE 750 V, IC 820 A, canale N, Modulo, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Numero di transistor: 6, Configurazione transistor: Confezione da sei, MPN: FS820R08A6P2BBPSA1
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Infineon Modulo IGBT, VCE 750 V, IC 820 A, Canale N, Modulo
Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 750 V, IC 820 A, Canale N, Modulo | |
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