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SKF Cuscinetto A Rullo, Ø Int. 55mm, Ø Est. 100mm, Guida Larga 25mm

About The 100mm, guida larga 25mm, Tipo cuscinetto a rulli: Conico, Tipo di foro: Parallelo, MPN: C 2211 KTN9. 55mm, Ø est

100mm, guida larga 25mm, Tipo cuscinetto a rulli: Conico, Tipo di foro: Parallelo, MPN: C 2211 KTN9 55mm, Ø est. SKF Cuscinetto a rullo, Ø int.

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SKF Cuscinetto A Rullo, Ø Int. 55mm, Ø Est. 100mm, Guida Larga 25mm

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Specifications of SKF Cuscinetto A Rullo, Ø Int. 55mm, Ø Est. 100mm, Guida Larga 25mm

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SKF Cuscinetto A Rullo, Ø Int. 55mm, Ø Est. 100mm, Guida Larga 25mm
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Rating :- 9.61 /10
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Turck Connettore circolare, 5 poli, Tipologia contatto: Femmina, MPN: B 4151-0/13.5/DNET
    • Omron Sensore di distanza Cilindrico, a soppressione di sfondo, rilevamento 10 mm → 50 mm, uscita PNP, Tipo di rilevamento: Soppressione sfondo, Collegamento elettrico: Cavo precablato, Tensione massima c.c.: 30V, Sorgente di luce: LED, Grado IP: IP67, IP69K, Corrente massima: 25 mA, Tempo di risposta: 500 μs, Materiale custodia: Ottone nichelato, Massima temperatura operativa: +55°C, Minima temperatura operativa: -25°C, Serie: E3F, MPN: E3FBVP112M
    • Silicon Labs IC ricetrasmettitore RF SI4455-C2A-GM, GFSK, OOK, QFN, 20-Pin, Tecnologia: Transceiver a basso IF/ISM, Dimensioni: 3 x 3 x 0.85mm, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Lunghezza: 3mm, Frequenza operativa massima banda 1: 960MHz, Tensione di alimentazione operativa massima: 3,6 V, Massima temperatura operativa: +85 °C, Frequenza operativa minima banda 1: 284MHz, Tensione di alimentazione operativa minima: 1,8 V, Minima temperatura operativa: -40 °C
    • Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 900 μΩ, 100 A, PowerPAK SO-8DC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +20 V, +6 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiDR392DP-T1-GE3
    • Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 900 μΩ, 100 A, PowerPAK SO-8DC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +20 V, +6 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiDR392DP-T1-GE3