reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, Canale N, Q0BOOST

About The 8 x 11.2 x 32

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Configurazione transistor: Doppio, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0STG

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT

Onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, Canale N, Q0BOOST

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT

Specifications of Onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, Canale N, Q0BOOST

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, Canale N, Q0BOOST
More Varieties

Rating :- 9.86 /10
Votes :- 42