onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Configurazione transistor: Doppio, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0STG
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
Onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, Canale N, Q0BOOST
Specifications of Onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, Canale N, Q0BOOST | |
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