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SAM Contenitore TVJ, 480 (L) X 420 (H) X 215 (W)mm, Con Ruote

About The SAM Contenitore TVJ, 480 (L) x 420 (H) x 215 (W)mm, con ruote, A tenuta stagna o impermeabile: No, Ruote: Sì, MPN: TVJ-T

SAM Contenitore TVJ, 480 (L) x 420 (H) x 215 (W)mm, con ruote, A tenuta stagna o impermeabile: No, Ruote: Sì, MPN: TVJ-T

Meccanica & Potenza fluida e Utensili > Accesso & Stoccaggio e Movimentazione merci > Contenitori per strumentazione e trasporto > Contenitori per il trasporto

SAM Contenitore TVJ, 480 (L) X 420 (H) X 215 (W)mm, Con Ruote

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Specifications of SAM Contenitore TVJ, 480 (L) X 420 (H) X 215 (W)mm, Con Ruote

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SAM Contenitore TVJ, 480 (L) X 420 (H) X 215 (W)mm, Con Ruote
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guida 41mm, Disposizione delle guarnizioni: Schermato su entrambi i lati, Gioco del cuscinetto: C3, Capacità di carico statico: 97kN, Capacità di carico dinamico: 141kN, Tipo di foro: Parallelo, Serie di cuscinetti: 3 Medio, Codice cuscinetto parziale: 6317, MPN: 6317-2Z-C3
    • 3M Connettore D-Sub, Femmina, 9 vie, terminazione IDC, Orientamento: Angolo destro, Tipo di montaggio: Montaggio su cavo, Passo: 1.27mm, Corrente nominale: 1A, Materiale custodia: PBT, Lunghezza: 31.2mm, Larghezza: 16.6mm, Profondità: 12.4mm, Materiale contatto: Lega di rame, Placcatura contatto: Oro su nichel, Dimensioni: 31.2 x 16.6 x 12.4mm, Serie: 8300, MPN: 8309-8000
    • Wurth Elektronik Nucleo di ferrite apribile, 41Ω a 25 MHz, Ø int. 21mm

    Wurth Elektronik Nucleo di ferrite apribile, 41Ω a 25 MHz, Ø int. 21mm

    Wurth Elektronik Nucleo di ferrite apribile, 41Ω a 25 MHz, Ø int. 21mm, Serie: STAR-TEC, Tipo: Ferrite a scatto, Applicazione: In particolare per applicazione nella gamma delle basse frequenze da 300 kHz → 30 Mhz, Materiale: Manganese-zinco (rivestimento), Chiave: Sì, Impedenza a 100 MHz: 74Ω, Dimensioni esterne: 56 x 47 x 43mm, Profondità esterna: 56mm, Larghezza esterna: 47mm, MPN: 74272211.

    • Infineon MOSFET, canale N, 2,4 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 1.1mm, Lunghezza: 6mm, MPN: BSC016N06NSATMA1
    • Infineon MOSFET, canale N, 2,4 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 1.1mm, Lunghezza: 6mm, MPN: BSC016N06NSATMA1