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FAG Cuscinetto A Sfera Cuscinetti Radiali A Una Corona Di Sfere In Acciaio, Ø Int. 85mm, Ø Est. 180mm, Largh. Guida 41mm

About The guida 41mm, Disposizione delle guarnizioni: Schermato su entrambi i lati, Gioco del cuscinetto: C3, Capacità di carico statico: 97kN, Capacità di carico dinamico: 141kN, Tipo di foro: Parallelo, Serie di cuscinetti: 3 Medio, Codice cuscinetto parziale: 6317, MPN: 6317-2Z-C3.FAG Cuscinetto a sfera Cuscinetti radiali a una corona di sfere in Acciaio, Ø int

85mm, Ø est. FAG Cuscinetto a sfera Cuscinetti radiali a una corona di sfere in Acciaio, Ø int. 180mm, Largh. guida 41mm, Disposizione delle guarnizioni: Schermato su entrambi i lati, Gioco del cuscinetto: C3, Capacità di carico statico: 97kN, Capacità di carico dinamico: 141kN, Tipo di foro: Parallelo, Serie di cuscinetti: 3 Medio, Codice cuscinetto parziale: 6317, MPN: 6317-2Z-C3

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FAG Cuscinetto A Sfera Cuscinetti Radiali A Una Corona Di Sfere In Acciaio, Ø Int. 85mm, Ø Est. 180mm, Largh. Guida 41mm

3M Connettore D-Sub, Femmina, 9 vie, terminazione IDC, Orientamento: Angolo destro, Tipo di montaggio: Montaggio su cavo, Passo: 1.27mm, Corrente nominale: 1A, Materiale custodia: PBT, Lunghezza: 31.2mm, Larghezza: 16.6mm, Profondità: 12.4mm, Materiale contatto: Lega di rame, Placcatura contatto: Oro su nichel, Dimensioni: 31.2 x 16.6 x 12.4mm, Serie: 8300, MPN: 8309-8000
Infineon MOSFET, canale P, 4,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, Altezza: 1.1mm, Lunghezza: 6.1mm, MPN: BSC030P03NS3G
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Specifications of FAG Cuscinetto A Sfera Cuscinetti Radiali A Una Corona Di Sfere In Acciaio, Ø Int. 85mm, Ø Est. 180mm, Largh. Guida 41mm

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RS PRO Torretta di segnalazione, 240 V c.a., LED, lenti Rosso/Verde/Ambra, Effetto luce: Lampeggiante, Fisso, Multifunzione: Sì, Altezza: 262mm, Diametro base: 68mm, Grado IP: IP66, Colore custodia: Ambra, Verde, Rosso, Temperatura massima: +50°C, Temperatura minima: -30°C
    • Microchip Regolatore di tensione MIC37100-2.5WS, 1A, 3 + Tab-Pin, SOT-223, Tipo di regolatore: Bassa tensione di caduta, Tensione di uscita: 2,5 V, Regolazione di linea: 0,5%, Precisione: ±2%, Regolazione del carico: 1%, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tipo di uscita: Fissa, Dimensioni: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Tensione massima in ingresso: 6 V, Massima temperatura operativa: +125 °C
    • RS PRO Alimentatore switching, 600W, ingresso 80 → 277V ca, uscita 48V cc, 12.6A, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Tipo di contenitore: Chiuso, Lunghezza: 203.1mm, Larghezza: 40.6mm, Tipo incorporato: Sì, Profondità: 101.6mm, Efficienza: 0.94, Temperatura massima: +70°C, Temperatura minima: -40°C, Peso: 1kg
    • RS PRO Alimentatore switching, 600W, ingresso 80 → 277V ca, uscita 12V cc, 50A, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Tipo di contenitore: Chiuso, Lunghezza: 203.1mm, Larghezza: 40.6mm, Tipo incorporato: Sì, Profondità: 101.6mm, Efficienza: 0.92, Temperatura massima: +70°C, Temperatura minima: -40°C, Peso: 1kg
    • Usag Cacciavite standard Phillips PH1, Approvato VDE/1000V: No, MPN: U03240541
    • guida 37mm, Disposizione delle guarnizioni: Sigillato su entrambi i lati, Gioco del cuscinetto: C3, Capacità di carico statico: 77kN, Capacità di carico dinamico: 123kN, Tipo di foro: Parallelo, Serie di cuscinetti: 3 Medio, Codice cuscinetto parziale: 6315, MPN: 6315-2RSR-C3
    • Infineon MOSFET, canale P, 4,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, Altezza: 1.1mm, Lunghezza: 6.1mm, MPN: BSC030P03NS3G
    • guida 41mm, Disposizione delle guarnizioni: Schermato su entrambi i lati, Gioco del cuscinetto: C3, Capacità di carico statico: 97kN, Capacità di carico dinamico: 141kN, Tipo di foro: Parallelo, Serie di cuscinetti: 3 Medio, Codice cuscinetto parziale: 6317, MPN: 6317-2Z-C3
    • Infineon MOSFET, canale P, 4,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, Altezza: 1.1mm, Lunghezza: 6.1mm, MPN: BSC030P03NS3G
    • guida 41mm, Disposizione delle guarnizioni: Schermato su entrambi i lati, Gioco del cuscinetto: C3, Capacità di carico statico: 97kN, Capacità di carico dinamico: 141kN, Tipo di foro: Parallelo, Serie di cuscinetti: 3 Medio, Codice cuscinetto parziale: 6317, MPN: 6317-2Z-C3