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CFG Sigillante Al Silicone Bianco, Cartuccia Da 280 Ml, -50 → +100 °C

About The CFG Sigillante al silicone Bianco, Cartuccia da 280 ml, -50 → +100 °C, Applicazione: Sigillatura, Minima temperatura operativa: -50°C, Massima temperatura operativa: +100°C, Tipo chimico: Silicone acetico, MPN: W00020

CFG Sigillante al silicone Bianco, Cartuccia da 280 ml, -50 → +100 °C, Applicazione: Sigillatura, Minima temperatura operativa: -50°C, Massima temperatura operativa: +100°C, Tipo chimico: Silicone acetico, MPN: W00020

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CFG Sigillante Al Silicone Bianco, Cartuccia Da 280 Ml, -50 → +100 °C

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Wurth Elektronik Induttore multistrato SMD Wurth 33 μH, ±20%, Icc 1.9A, 7050

Wurth Elektronik Induttore multistrato SMD Wurth 33 μH, ±20%, Icc 1.9A, 7050

9A, 7050, Serie: WE-LHMI, Resistenza in c.6mm, Temperatura operativa massima: +125°C, Struttura dell'induttore: A filo avvolto, Temperatura operativa minima: -40°C, Schermato: Sì, MPN: 74437349330. massima: 200mΩ, Materiale base: Polvere di ferro composita, Dimensioni: 6.8mm, Profondità: 6.

    • Nexperia Diodo Zener, 5.1V, Montaggio superficiale, 250 mW, SOT-23 (TO -236AB), Configurazione diodi: Singolo, Tipo di zener: Regolatore di tensione, Tolleranza in tensione zener: 2%, Corrente di test: 5mA, Impedenza massima zener: 60Ω, Massima corrente di perdita inversa: 2µA, Lunghezza: 3mm, Larghezza: 1.4mm, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, MPN: BZX84-B5V1,215
    • Vishay MOSFET, canale N, 0.184 Ω, 21 A, TO247AC, Su foro, MPN: SIHG24N80AE-GE3

    Vishay MOSFET, canale N, 0.184 Ω, 21 A, TO247AC, Su foro, MPN: SIHG24N80AE-GE3

    184 Ω, 21 A, TO247AC, Su foro.Vishay MOSFET, canale N, 0.

    • DiodesZetex MOSFET, canale N, 120 mΩ, 4.0 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 1.4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 1.12mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: ZXMN2F34FHTA
    • DiodesZetex MOSFET, canale N, 120 mΩ, 4.0 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 1.4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 1.12mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: ZXMN2F34FHTA