TE Connectivity Resistenza Serie SBCHE, 1Ω, 4W, ±10%

Name: TE Connectivity - TE Connectivity Resistenza Serie SBCHE, 1Ω, 4W, ±10%, Tecnologia: Filo Avvolto, Temperatura Operativa Massima: +350°C, Coefficiente Di Temperatura: ±400ppm/°C, Temperatura Operativa Minima: -55°C, MPN: SBCHE41R0K
Brand: TE Connectivity
SKU: ABDY-367573
Price: 6.53 EUR
Availability: InStock

About The TE Connectivity Resistenza serie SBCHE, 1Ω, 4W, ±10%, Tecnologia: Filo avvolto, Temperatura operativa massima: +350°C, Coefficiente di temperatura: ±400ppm/°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: SBCHE41R0K

TE Connectivity Resistenza serie SBCHE, 1Ω, 4W, ±10%, Tecnologia: Filo avvolto, Temperatura operativa massima: +350°C, Coefficiente di temperatura: ±400ppm/°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: SBCHE41R0K

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Specifications of TE Connectivity Resistenza Serie SBCHE, 1Ω, 4W, ±10%
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Last Updated January 12th, 2025 04:36 am

TE Connectivity Resistenza Serie SBCHE, 1Ω, 4W, ±10%

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HARTING Contatto connettore D-sub Pin, Femmina, terminazione a Crimpare, cavo 26 → 24 AWG, Materiale contatto: Lega di rame, Placcatura contatto: PdNi, Dimensione minima filo (mm2): 0.14mm², Dimensione massima filo (mm2): 0.22mm², Serie: D-Sub High Density, Corrente nominale: 6.5A, Dimensione massima filo (AWG): 24AWG, Dimensione minima filo (AWG): 26AWG, MPN: 09560008275

HARTING Contatto connettore D-sub Pin, Femmina, terminazione a Crimpare, cavo 26 → 24 AWG.

onsemi MOSFET, canale N, 259 mΩ, 1,2 A, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, 360 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDG1024NZ

onsemi MOSFET, canale N, 259 mΩ, 1,2 A, SOT-363, Montaggio superficiale.

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