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Bahco Lama Per Seghetto A Mano In In Acciaio Bimetallico, L. 300,0 Mm, 18 Denti Per Pollice

About The Bahco Lama per seghetto a mano in in acciaio bimetallico, L. 300,0 mm, 18 denti per pollice, Larghezza: 13

Bahco Lama per seghetto a mano in in acciaio bimetallico, L. 300,0 mm, 18 denti per pollice, Larghezza: 13.0mm, Materiali tagliati: Materiali multipli, Materiale: Bi-metallico, MPN: 3906-300-3P

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Bahco Lama Per Seghetto A Mano In In Acciaio Bimetallico, L. 300,0 Mm, 18 Denti Per Pollice

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Specifications of Bahco Lama Per Seghetto A Mano In In Acciaio Bimetallico, L. 300,0 Mm, 18 Denti Per Pollice

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Bahco Lama Per Seghetto A Mano In In Acciaio Bimetallico, L. 300,0 Mm, 18 Denti Per Pollice
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Vishay Resistenza serie RWM 6x22, 470mΩ, 7W, ±5%, Tecnologia: Filo avvolto, Temperatura operativa massima: +450°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: RWM0622R470JA15E1
    • Sick Interruttore di interblocco a solenoide 1077942, 24 V, Alluminio, IP67 120 x 38,5 x 60 mm, Tensione di alimentazione: 24V cc, Serie: MLP1, Attuatore incluso: Sì, Ingresso cavo: M12, Profondità: 60mm, Lunghezza: 120mm, Larghezza: 38.5mm, MPN: MLP1-SMMC0AC
    • Vishay Multiplexer DG411LEDJ-GE3, 16-Pin, PDIP, Tipo di montaggio: Su foro, Dimensioni: 21.33 x 7.11 x 3.81mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tipo di alimentazione: Doppio, singolo, Segnale in ingresso: Single Ended, Tipo di segnale in uscita: Differenziale, Tensione di alimentazione duale tipica: ±3 → ±8V
    • Vishay MOSFET, canale N, 180 mΩ, 19 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 179 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIHG20N50E-GE3
    • Vishay MOSFET, canale N, 180 mΩ, 19 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 179 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIHG20N50E-GE3