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Infineon Driver Gate MOSFET 1EDN7116GXTMA1, 2 A, 11V, PG-VSON-10, 11-Pin

About The Infineon Driver gate MOSFET 1EDN7116GXTMA1, 2 A, 11V, PG-VSON-10, 11-Pin

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Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Gestione alimentazione e potenza > Gate driver

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Specifications of Infineon Driver Gate MOSFET 1EDN7116GXTMA1, 2 A, 11V, PG-VSON-10, 11-Pin

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Infineon Driver Gate MOSFET 1EDN7116GXTMA1, 2 A, 11V, PG-VSON-10, 11-Pin
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RS PRO Elemento riscaldante in ceramica curvo, 150 W, 230 V c.a., lunghezza 245mm, Larghezza: 60mm, Spessore: 31mm, Forma elemento scaldante: Elemento in ceramica curvo, Dimensioni: 245 x 60 x 31 mm
    • Siemens Alimentatore a montaggio su guida DIN, 24V cc, 600mA, 85 → 264V ca, 14W
    • Texas Instruments ADC ADS823EG4, 10 bit-Bit, Differenziale, SSOP, 28 Pin, Interfaccia Parallelo, Architettura: Pipelined, Campionamento: 60000ksps, Segnale in ingresso: Differenziale, single ended, Tipo di ingresso: Tensione, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Integral Nonlinearity Error: ±2LSB, Tensione di alimentazione singola tipica: 5 V, Dimensioni: 10.2 x 5.3 x 1.95mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C
    • RS PRO O-ring in FKM, Ø int. 3.61poll, spessore 0.07poll

    RS PRO O-ring in FKM, Ø int. 3.61poll, spessore 0.07poll

    07poll, Minima temperatura operativa: -15°C, Massima temperatura operativa: +200°C. 3.61poll, spessore 0.

    • RS PRO O-ring in FKM, Ø int. 3.61poll, spessore 0.07poll

    RS PRO O-ring in FKM, Ø int. 3.61poll, spessore 0.07poll

    3.61poll, spessore 0.RS PRO O-ring in FKM, Ø int.07poll, Minima temperatura operativa: -15°C, Massima temperatura operativa: +200°C.