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Infineon Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 45 A, Canale N, EASY1B

About The Infineon Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 45 A, canale N, EASY1B, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione: Collettore comune, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 22, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Trifase, Dimensioni: 48 x 33.8 x 12mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FS30R06W1E3_B11

Infineon Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 45 A, canale N, EASY1B, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione: Collettore comune, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 22, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Trifase, Dimensioni: 48 x 33.8 x 12mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FS30R06W1E3_B11

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