Infineon Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 100 A, Tensione massima gate emitter: +/-20V, Dissipazione di potenza massima: 275 W, Numero di transistor: 4, Configurazione: Emettitore-collettore, quad (2 x doppio), MPN: F475R06W1E3BOMA1
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Infineon Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 100 A
Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 100 A | |
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