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BETA Chiave A Forchetta Singola, 10 Mm, Lungh. 119 Mm

About The BETA Chiave a forchetta singola, 10 mm, lungh. 119 mm, Tipo di chiave: Chiave inglese, Imperiale o metrico: Metrico, Misura metrica: 10mm, Doppia testa: No, MPN: 52 10

119 mm, Tipo di chiave: Chiave inglese, Imperiale o metrico: Metrico, Misura metrica: 10mm, Doppia testa: No, MPN: 52 10 BETA Chiave a forchetta singola, 10 mm, lungh.

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BETA Chiave A Forchetta Singola, 10 Mm, Lungh. 119 Mm

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Specifications of BETA Chiave A Forchetta Singola, 10 Mm, Lungh. 119 Mm

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BETA Chiave A Forchetta Singola, 10 Mm, Lungh. 119 Mm
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Rating :- 9.86 /10
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Hirose Corpo connettore automotive Femmina, 16 vie, 2 file, passo 2mm, Tipo di montaggio: Montaggio su cavo, Serie: DF11, Per utilizzo con: Serie DF11, Orientamento: Diritta, Lunghezza: 18mm, Larghezza: 5mm, MPN: DF11-16DS-2C
    • BETA Chiave a forchetta singola, 32 mm, lungh. 240 mm

    BETA Chiave a forchetta singola, 32 mm, lungh. 240 mm

    240 mm, Tipo di chiave: Chiave inglese, Imperiale o metrico: Metrico, Misura metrica: 32mm, Approvato VDE/1000V: Sì, Doppia testa: No, MPN: 52MQ 32.

    • Schneider Electric Interruttore magnetotermico 4P 63A 6 kA, Tipo D, Tensione nominale c.a.: 400 V, 440 V, 100 → 130 V, 12 → 60 V, 220 → 240 V, 380 → 415V, Tensione nominale c.c.: 12 → 250V, Gamma: Acti 9, Serie: iC60N, Tipo d'interruttore automatico: MCB, Larghezza: 72mm, Tipo di montaggio: Montaggio Guida DIN, Better World: prodotti più sostenibili: Sì, Better World: certificazione di sostenibilità: Green Premium, MPN: A9F75463
    • Infineon MOSFET, canale N, 32 mΩ, 34 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 136 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.57mm, MPN: IPB320N20N3GATMA1
    • Infineon MOSFET, canale N, 32 mΩ, 34 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 136 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.57mm, MPN: IPB320N20N3GATMA1