reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

SAM Spessimetro Metrico, 18 Lame, L. 100mm

About The SAM Spessimetro Metrico, 18 lame, L.04 → 1mm, MPN: 770-E

SAM Spessimetro Metrico, 18 lame, L. 100mm, Gamma di misura: 0.04 → 1mm, MPN: 770-E

Meccanica & Potenza fluida e Utensili > Utensili manuali > Misurazione e marcatura > Spessimetri

SAM Spessimetro Metrico, 18 Lame, L. 100mm

Meccanica & Potenza fluida e Utensili > Utensili manuali > Misurazione e marcatura > Spessimetri

Specifications of SAM Spessimetro Metrico, 18 Lame, L. 100mm

Category
Instockinstock

Last Updated

SAM Spessimetro Metrico, 18 Lame, L. 100mm
More Varieties

Rating :- 8.1 /10
Votes :- 40
SAM Punzone, L. 100 mm, Ø gambo 8 mm, pezzi

SAM Punzone, L. 100 mm, Ø gambo 8 mm, pezzi

100 mm, Ø gambo 8 mm, pezzi, MPN: 8N-4A.SAM Punzone, L.

    • Legrand Kit di terminazione Cat5, Tipo connettore Ethernet: Connettore RJ45, Protezione IP: IP66, IP67, MPN: 0 533 02
    • Global Laser Lente laser, forma Linea Asta multipla sagomata, angolo del ventaglio 125°, Misura foro di uscita: 5mm, MPN: 1125-498-000

    Global Laser Lente laser, forma Linea Asta multipla sagomata, angolo del ventaglio 125°, Misura foro di uscita: 5mm, MPN: 1125-498-000

    Global Laser Lente laser, forma Linea Asta multipla sagomata, angolo del ventaglio 125°.

    • onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 68 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVTFS6H854NTAG
    • onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 68 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVTFS6H854NTAG