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Onsemi Switch Di Alimentazione CI ON Semiconductor, LSOP, 7 Pin, 1.8A, 4Ω

About The onsemi Switch di alimentazione CI ON Semiconductor, LSOP, 7 pin, 1.6 x 3

onsemi Switch di alimentazione CI ON Semiconductor, LSOP, 7 pin, 1.8A, 4Ω, Power Switch Type: Buck, Potenza nominale: 120 mW, 25mW, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10 x 6.6 x 3.6mm, MPN: FSL336LRLX

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Gestione alimentazione e potenza > Switch di alimentazione CI

Onsemi Switch Di Alimentazione CI ON Semiconductor, LSOP, 7 Pin, 1.8A, 4Ω

More from Onsemi? Onsemi Switch Di Alimentazione CI ON Semiconductor, LSOP, 7 Pin, 1.8A, 4Ω, Power Switch Type: Buck, Potenza Nominale: 120 MW, 25mW, Tipo Di Montaggio: Montaggio Superficiale, Massima Temperatura Operativa: +125 °C, Minima Temperatura Operativa: -40 °C, Dimensioni: 10 X 6.6 X 3.6mm, MPN: FSL336LRLX
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Specifications of Onsemi Switch Di Alimentazione CI ON Semiconductor, LSOP, 7 Pin, 1.8A, 4Ω

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Rating :- 9.65 /10
Votes :- 40
Vikan Secchio bianco, capacità 6L, con impugnatura, Materiale: Plastica, Impugnatura: Sì, MPN: 56885
    • INA Cuscinetto a rullo, Ø int.
    • Telemecanique Sensors Interruttore di fine corsa, Leva, 2NC/2NC, 240V, 10A, IP66, Configurazione polo e corsa: 4P, Materiale custodia: Lega di zinco zamak, Tensione massima c.c.: 250V, Tipo di connessione: M20, Serie: XCKMR, Tipo di azione: Azione lenta, Lunghezza: 200mm, Profondità: 118mm, Massima temperatura operativa: +70°C, Minima temperatura operativa: -25°C, MPN: XCKMR54D1H29
    • Nexperia MOSFET, canale N, 133 mΩ, 16,7 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 37 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 10 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: BUK9Y59-60E,115
    • Nexperia MOSFET, canale N, 133 mΩ, 16,7 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 37 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 10 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: BUK9Y59-60E,115