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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Canale N, SEMITRANS3

About The Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 30

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB125D

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Canale N, SEMITRANS3

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Specifications of Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Canale N, SEMITRANS3

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