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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 295 A, Canale N, Modulo 62MM

About The Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 295 A, canale N, Modulo 62MM, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 1050 W, Configurazione: Serie, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Velocità di switching: 1MHz, Dimensioni: 106.4 x 61

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 295 A, canale N, Modulo 62MM, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 1050 W, Configurazione: Serie, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Velocità di switching: 1MHz, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 29mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FF200R12KE3

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 295 A, Canale N, Modulo 62MM

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Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 295 A, Canale N, Modulo 62MM

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