Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, Econo2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 385 W, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 28, Velocità di switching: 1MHz, Dimensioni: 107.5 x 45 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FS75R12KT4_B15
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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, Canale N, Econo2
Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, Canale N, Econo2 | |
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