Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 55 A, Canale N, EconoPIM2
About The 5 x 45 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FP40R12KE3.Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 55 A, canale N, EconoPIM2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 210 W, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 24, Dimensioni: 107
Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 55 A, canale N, EconoPIM2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 210 W, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 24, Dimensioni: 107.5 x 45 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FP40R12KE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 55 A, Canale N, EconoPIM2
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Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 55 A, Canale N, EconoPIM2 | |
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