STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, canale N, Cavi lunghi TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 167 W, Configurazione transistor: Serie, MPN: STGWA30HP65FB2
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STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, Canale N, Cavi Lunghi TO-247
Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, Canale N, Cavi Lunghi TO-247 | |
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