STMicroelectronics IGBT, VCE 475 V, IC 25 A, canale N, DPAK, Tensione massima gate emitter: 16V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 6.6 x 2.4 x 6.2mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, Classe di efficienza energetica: 300mJ, Capacità del gate: 1011pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STGD20N45LZAG
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STMicroelectronics IGBT, VCE 475 V, IC 25 A, Canale N, DPAK
Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 475 V, IC 25 A, Canale N, DPAK | |
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