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SAM Bussola A Impatto 54mm, Attacco, Attacco Esagonale 36 Mm, L. 108 Mm

About The 108 mm, Tipo di guida: Esagono, Imperiale o metrico: Metrico, Materiale: Acciaio, MPN: NM-36-L.SAM Bussola a impatto 54mm, attacco, attacco esagonale 36 mm, L

108 mm, Tipo di guida: Esagono, Imperiale o metrico: Metrico, Materiale: Acciaio, MPN: NM-36-L SAM Bussola a impatto 54mm, attacco, attacco esagonale 36 mm, L.

Meccanica & Potenza fluida e Utensili > Utensili manuali > Chiavi a bussola e chiavi inglesi > Bussole ad impatto

SAM Bussola A Impatto 54mm, Attacco, Attacco Esagonale 36 Mm, L. 108 Mm

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Specifications of SAM Bussola A Impatto 54mm, Attacco, Attacco Esagonale 36 Mm, L. 108 Mm

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SAM Bussola A Impatto 54mm, Attacco, Attacco Esagonale 36 Mm, L. 108 Mm
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Texas Instruments Regolatore di tensione lineare, canali 1, 2.4A, uscita Regolabile, TO-220, Tensione di uscita: 5 V, Precisione: ±2%, Polarità: Positivo, Numero pin: 3, MPN: LM7812CT/NOPB
    • Bosch Rexroth Attuatore lineare elettrico SMS-080, corsa 600mm, 40kg max, vel. 1200mm/s

    Bosch Rexroth Attuatore lineare elettrico SMS-080, corsa 600mm, 40kg max, vel. 1200mm/s

    1200mm/s, Tipo di attuatore: Attuatore lineare a vite, MPN: R02681H062.

    • onsemi Switch di alimentazione CI, UDFN, 6 pin, 5,5 V, 2.1A, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 2 x 2 x 0.5mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q100, Larghezza: 2mm, MPN: NCP380LMUAJAATBG
    • Infineon MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 50 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.49mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSC067N06LS3GATMA1
    • Infineon MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 50 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.49mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSC067N06LS3GATMA1