STMicroelectronics MOSFET STD11N60DM2, ID 10 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

boquilla 0.Festo Bomba de vacío VN-07-M-I3-PQ2-VT2, diám.5l/min, Máxima Presión de Entrada: 6bar, Presión de Funcionamiento: 1-8bar.8bar, 13.

5 x 5 x 3.2mm.Abracon Unidad de cristal 8MHZ, ±30ppm, SMD, 2-Pin, 13.

Festo Cilindro compacto neumático, ADNGF-40-20-P-A, Doble Acción.

SMC Interruptor de flujo PF2W para Aire, gas, agua, 0,5 l/min.

TE Connectivity Conector de iluminación Hembra Poke-In, 2 Polos, Montaje Superficial, 320 V ac, 6A.

NXP JFET, PMBF4391,215, N-Canal, 40 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple.

6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.STMicroelectronics MOSFET STD11N60DM2, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 420 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 6.

Festo Bomba de vacío VN-14-H-T4-PI5-VI5-RO2-A, diám.

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 420 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 6.STMicroelectronics MOSFET STD11N60DM2, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

8l/min, Máxima Presión de Entrada: 6bar, Presión de Funcionamiento: 1-8bar.