Vishay MOSFET SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247 De 3 Pines

Name: Vishay - Vishay MOSFET SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247 De 3 Pines, Serie: E Series, Tipo De Montaje: Montaje En Orificio Pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,029 Ω, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 4V, Número De Elementos Por Chip: 1
Brand: Vishay
SKU: ABEA-10551
Price: 324.92 EUR
Availability: InStock

About The Vishay MOSFET SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247 de 3 pines, Serie: E Series, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,029 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1

Vishay MOSFET SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247 de 3 pines, Serie: E Series, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,029 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SiHS36N50D-GE3, VDSS 550 V, ID 36 A, Super-247 de 3 pines, Serie: D Series, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,13 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V

Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0019 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Vishay MOSFET SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247 De 3 Pines
Category
Instock	instock

Last Updated January 14th, 2025 04:52 am

Vishay MOSFET SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247 De 3 Pines

More Varieties

Rating :- 9.87 /10

Votes :- 40

Arcol Resistencia fija de película metálica,, 140Ω, ±0.1%, 0,25W, Axial, Serie MRA0207, Potencia Nominal: 0.25W, Tecnología: Película de Metal, Estilo de la Carcasa: Conformal, Coeficiente de Temperatura: ±15ppm/°C, Dimensiones: 2.3 (Dia.) x 5.6mm, Diámetro: 2.3mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Máximo Coeficiente de Temperatura: +15ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Mínimo Coeficiente de Temperatura: -15ppm/°C, MPN: MRA0207140RBTA015

1%, 0,25W, Axial, Serie MRA0207.Arcol Resistencia fija de película metálica,, 140Ω, ±0.

Arcol Resistencia fija de película metálica,, 121Ω, ±0.1%, 0,25W, Axial, Serie MRA0207, Potencia Nominal: 0.25W, Tecnología: Película de Metal, Estilo de la Carcasa: Conformal, Coeficiente de Temperatura: ±15ppm/°C, Dimensiones: 2.3 (Dia.) x 5.6mm, Diámetro: 2.3mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Máximo Coeficiente de Temperatura: +15ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Mínimo Coeficiente de Temperatura: -15ppm/°C, MPN: MRA0207121RBTA015

1%, 0,25W, Axial, Serie MRA0207.

Vishay MOSFET SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK 8 x 8 L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0028 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Vishay MOSFET SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK 8 x 8 L de 4 pines.

Vishay MOSFET SIJA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81,2 A., PowerPAK SO-8L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,00399 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V

Vishay MOSFET SIJA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81,2 A., PowerPAK SO-8L de 4 pines.

Vishay MOSFET SiJA22DP-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 201 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines

Vishay MOSFET SiJA22DP-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 201 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines.

Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0019 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3V

Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines.