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Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L De 4 Pines

About The Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0019 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3V

Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0019 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L De 4 Pines

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Specifications of Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L De 4 Pines

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Vishay MOSFET SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, PowerPAK SO-8L De 4 Pines
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Arcol Resistencia fija de película metálica,, 140Ω, ±0.1%, 0,25W, Axial, Serie MRA0207, Potencia Nominal: 0.25W, Tecnología: Película de Metal, Estilo de la Carcasa: Conformal, Coeficiente de Temperatura: ±15ppm/°C, Dimensiones: 2.3 (Dia.) x 5.6mm, Diámetro: 2.3mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Máximo Coeficiente de Temperatura: +15ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Mínimo Coeficiente de Temperatura: -15ppm/°C, MPN: MRA0207140RBTA015
    • Arcol Resistencia fija de película metálica,, 121Ω, ±0.1%, 0,25W, Axial, Serie MRA0207, Potencia Nominal: 0.25W, Tecnología: Película de Metal, Estilo de la Carcasa: Conformal, Coeficiente de Temperatura: ±15ppm/°C, Dimensiones: 2.3 (Dia.) x 5.6mm, Diámetro: 2.3mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Máximo Coeficiente de Temperatura: +15ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Mínimo Coeficiente de Temperatura: -15ppm/°C, MPN: MRA0207121RBTA015
    • Vishay MOSFET SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK 8 x 8 L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0028 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • Vishay MOSFET SIJA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81,2 A., PowerPAK SO-8L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,00399 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V
    • Vishay MOSFET SIJA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81,2 A., PowerPAK SO-8L de 4 pines, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,00399 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V