reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

About The Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1

Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

More from Infineon - Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines, Serie: OptiMOS™, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 2V, Número De Elementos Por Chip: 1
Search

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
More Varieties

Rating :- 9.83 /10
Votes :- 39
Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 430Ω, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW0603430RFKEA
    • Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.3MΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW06033M30FKEA
    • Infineon MOSFET IPD30N06S223ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,023 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1
    • Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.9kΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW06033K90FKEA
    • Infineon MOSFET IPD14N06S280ATMA2, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,08 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V
    • Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.48kΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW06033K48FKEA
    • Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1
    • Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.48kΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW06033K48FKEA
    • Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1