Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-252 De 3 Pines

Name: Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-252 De 3 Pines, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 3.5V | Infineon
Brand: Infineon
SKU: ABEA-112537
Price: 7.51 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.48kΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW06033K48FKEA

Infineon MOSFET IPD14N06S280ATMA2, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,08 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

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Specifications of Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-252 De 3 Pines
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Last Updated January 13th, 2025 04:19 pm

Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-252 De 3 Pines

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ifm electronic Sensor de proximidad, M8, alcance 4 mm, 10 → 36 V dc, IP65, IP67, 800Hz, Tecnología de sensores: Inductivo, Tipo de Cuerpo: Cilindro roscado, Tipo de salida de conmutación digital: PNP, Longitud: 50mm, Tipo de Montaje: No enrasado, Material de la Carcasa: Latón, LCP, Tensión DC Máxima: 36V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -25°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, MPN: IE5329

ifm electronic Sensor de proximidad, M8, alcance 4 mm, 10 → 36 V dc, IP65, IP67, 800Hz.

Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 430Ω, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW0603430RFKEA

1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW.

Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.3MΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW06033M30FKEA

1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW.

Infineon MOSFET IPD30N06S223ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,023 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1

Infineon MOSFET IPD30N06S223ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, TO-252 de 3 pines.

Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.9kΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CRCW06033K90FKEA

1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRCW.9kΩ, ±1%, 0.Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 3.

Infineon MOSFET IPD14N06S280ATMA2, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,08 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Infineon MOSFET IPD14N06S280ATMA2, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252 de 3 pines.