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ROHM MOSFET RSH065N06GZETB, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOP De 8 Pines, Config. Simple

About The 5 A, SOP de 8 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 48 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2

ROHM MOSFET RSH065N06GZETB, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOP de 8 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 48 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

ROHM MOSFET RSH065N06GZETB, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOP De 8 Pines, Config. Simple

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Specifications of ROHM MOSFET RSH065N06GZETB, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOP De 8 Pines, Config. Simple

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Uvex Botas de seguridad, serie 2 de color Negro, naranja, talla 38, S3 SRC, Serie: Uvex 2, Género: Unisex, Talla de zapato, UK: 5, Talla de zapato, EE.UU.: 6, Tipo de puntera de seguridad: Compuesto, Puntera de seguridad: Sí, Tipo de cierre: Cordones, MPN: U6503-2-05
    • ifm electronic Sensor de proximidad, M30, alcance 10 mm, 10 → 30 V dc, IP67, 1kHz, Tecnología de sensores: Inductivo, Tipo de Cuerpo: Cilindro roscado, Tipo de salida de conmutación digital: PNP, Tipo de Conexión: M12, Longitud: 65mm, Tipo de Montaje: Enrasado, Material de la Carcasa: Latón, Duroplast, Tensión DC Máxima: 30V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -25°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, MPN: IIW200
    • Infineon MOSFET IPI80N06S407AKSA2, VDSS 60 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, Serie: OptiMOS™ -T2, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0074 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1
    • Infineon MOSFET IPD80R750P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-252 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ P7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,75 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V
    • Infineon MOSFET IPD80R750P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-252 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ P7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,75 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V