Toshiba MOSFET TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Toshiba MOSFET TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Toshiba MOSFET TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON De 8 Pines,, Config. Simple | |
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