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OSRAM Opto Semiconductors Fotodiodo De Silicio Osram Opto, IR, λ Sensibilidad Máx. 850nm, Mont. Superficial, Encapsulado Smart DIL De 2 Pines

About The 850nm, mont.5mm, Anchura: 3

850nm, mont. superficial, encapsulado Smart DIL de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Mínima Longitud de Onda Detectada: 400nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Tiempo de Bajada Típico: 0.02µs, Longitud: 4.5mm, Anchura: 3.7mm, Altura: 1.2mm, Polaridad: Positivo, Corriente de cortocircuito: 80µA, MPN: BPW 34 S-Z OSRAM Opto Semiconductors Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR, λ sensibilidad máx.

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OSRAM Opto Semiconductors Fotodiodo De Silicio Osram Opto, IR, λ Sensibilidad Máx. 850nm, Mont. Superficial, Encapsulado Smart DIL De 2 Pines

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Specifications of OSRAM Opto Semiconductors Fotodiodo De Silicio Osram Opto, IR, λ Sensibilidad Máx. 850nm, Mont. Superficial, Encapsulado Smart DIL De 2 Pines

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