Ams OSRAM Fotodiodo De Silicio, IR + Luz Visible, λ Sensibilidad Máx. 570nm, Mont. Superficial, Encapsulado DIP De 2

155mm, ancho 50mm, Disposición del sellado: Tipo abierto, Distancia de rodamientos: CN, Material de la Rejilla: Lámina de metal, Valor Nominal de Carga Estática: 440kN, Valor Nominal de Carga Dinámico: 182kN, Tipo de Calibre: Paralelo, Series de cojinetes: 1 Extra Ligero Empuje, Código parcial de rodamiento: 51318 90mm, Ø ext. SKF Rodamiento de bolas Rodamiento axial de bolas de Acero, Ø int. 155mm, ancho 50mm. 90mm, Ø ext.

9mm, Anchura: 5mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.pasante, encapsulado T-1 3/4 de, Espectro(s) Detectado(s): infrarrojo, Luz Visible, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Pines: 2, Mínima Longitud de Onda Detectada: 400nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Tiempo de Bajada Típico: 0.005µs, Longitud: 5.

pasante,, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible, Tiempo de Bajada Típico: 7µs, Corriente de Luz Máxima: 7200µA, Corriente de Oscuridad Máxima: 200nA, Ángulo de Sensibilidad Media: 24 °, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Encapsulado: T-1, Dimensiones: 4 x 4 x 5.ams OSRAM Fototransistor NPN de amplio espectro, rango onda λ 380 → 1150 nm, corriente Ic 15mA, mont.2mm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1150nm, Mínima Longitud de Onda Detectada: 380nm, MPN: SFH 309-4/5.

ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR, λ sensibilidad máx. pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines.9mm, Anchura: 5mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.65A/W, Polaridad: Directo, MPN: SFH 213 FA 900nm, mont.

pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines. 900nm, mont. ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR, λ sensibilidad máx.