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Ams OSRAM Fototransistor NPN Sensible A IR, Rango Onda λ 730 → 1120 Nm, Corriente Ic 50mA, Mont. Pasante, T-1 3/4

About The 9 x 5.9 x 9mm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1120nm, Mínima Longitud de Onda Detectada: 730nm, MPN: SFH 300 FA-3/4

ams OSRAM Fototransistor NPN sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, T-1 3/4, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Tiempo de Bajada Típico: 10µs, Corriente de Luz Máxima: 7700µA, Corriente de Oscuridad Máxima: 50nA, Ángulo de Sensibilidad Media: 50 °, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 5.9 x 5.9 x 9mm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1120nm, Mínima Longitud de Onda Detectada: 730nm, MPN: SFH 300 FA-3/4

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Displays y Optoelectrónica > Optoacopladores y Fotodetectores > Fototransistores

Ams OSRAM Fototransistor NPN Sensible A IR, Rango Onda λ 730 → 1120 Nm, Corriente Ic 50mA, Mont. Pasante, T-1 3/4

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Specifications of Ams OSRAM Fototransistor NPN Sensible A IR, Rango Onda λ 730 → 1120 Nm, Corriente Ic 50mA, Mont. Pasante, T-1 3/4

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Ams OSRAM Fototransistor NPN Sensible A IR, Rango Onda λ 730 → 1120 Nm, Corriente Ic 50mA, Mont. Pasante, T-1 3/4
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Texas Instruments Amplificador operacional TLE2062CP 1.8MHZ PDIP, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 3.4V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +70 °C, Dimensiones: 9.81 x 6.35 x 4.57mm, Longitud: 9.81mm, Raíl a Raíl: No, Densidad Típica de Ruido de Tensión de Entrada: 59nV/√Hz
    • Texas Instruments Filtro activo, UAF42AU, Universal, 2 ed. Orden, Condensador conmutado, 100kHz, Quad, encapsulado SOIC, 16 pines

    Texas Instruments Filtro activo, UAF42AU, Universal, 2 ed. Orden, Condensador conmutado, 100kHz, Quad, encapsulado SOIC, 16 pines

    Orden, Condensador conmutado, 100kHz, Quad, encapsulado SOIC, 16 pines, Tipo de Filtro: Filtro universal, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±15V, Número de Circuitos: 4, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 10.

    • SKF Rodamiento de bolas Rodamiento axial de bolas de Acero de dos hileras, Ø int.

    SKF Rodamiento de bolas Rodamiento axial de bolas de Acero de dos hileras, Ø int.

    SKF Rodamiento de bolas Rodamiento axial de bolas de Acero de dos hileras, Ø int.32mm, ancho 22mm, Disposición del sellado: Tipo abierto, Distancia de rodamientos: CN, Material de la Rejilla: Lámina de metal, Valor Nominal de Carga Estática: 25kN, Valor Nominal de Carga Dinámico: 15.

    • SKF Rodamiento de bolas Rodamiento axial de bolas de Acero, Ø int.

    SKF Rodamiento de bolas Rodamiento axial de bolas de Acero, Ø int.

    SKF Rodamiento de bolas Rodamiento axial de bolas de Acero, Ø int. 90mm, Ø ext.

    • ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR + luz visible, λ sensibilidad máx.

    ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR + luz visible, λ sensibilidad máx.

    ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR + luz visible, λ sensibilidad máx.pasante, encapsulado T-1 3/4 de, Espectro(s) Detectado(s): infrarrojo, Luz Visible, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Pines: 2, Mínima Longitud de Onda Detectada: 400nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Tiempo de Bajada Típico: 0.005µs, Longitud: 5.9mm, Anchura: 5mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.

    • ams OSRAM Fototransistor NPN de amplio espectro, rango onda λ 380 → 1150 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante,

    ams OSRAM Fototransistor NPN de amplio espectro, rango onda λ 380 → 1150 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante,

    pasante,, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible, Tiempo de Bajada Típico: 7µs, Corriente de Luz Máxima: 7200µA, Corriente de Oscuridad Máxima: 200nA, Ángulo de Sensibilidad Media: 24 °, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Encapsulado: T-1, Dimensiones: 4 x 4 x 5.

    • ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR, λ sensibilidad máx.

    ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR, λ sensibilidad máx.

    65A/W, Polaridad: Directo, MPN: SFH 213 FA 900nm, mont.pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 750nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Tiempo de Bajada Típico: 0. pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines.

    • ams OSRAM Fototransistor NPN sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, T-1 3/4

    ams OSRAM Fototransistor NPN sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, T-1 3/4

    ams OSRAM Fototransistor NPN sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont.9 x 5.9 x 9mm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1120nm, Mínima Longitud de Onda Detectada: 730nm, MPN: SFH 300 FA-3/4. pasante, T-1 3/4, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Tiempo de Bajada Típico: 10µs, Corriente de Luz Máxima: 7700µA, Corriente de Oscuridad Máxima: 50nA, Ángulo de Sensibilidad Media: 50 °, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 5.

    • ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR, λ sensibilidad máx.

    ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR, λ sensibilidad máx.

    9mm, Anchura: 5mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.005µs, Longitud: 5. ams OSRAM Fotodiodo de silicio SFH, IR, λ sensibilidad máx.pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 750nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Tiempo de Bajada Típico: 0.

    • ams OSRAM Fototransistor NPN sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, T-1 3/4

    ams OSRAM Fototransistor NPN sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, T-1 3/4

    ams OSRAM Fototransistor NPN sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont.