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Onsemi Transistor Digital, BU406G, NPN 400 V TO-220, 3 Pines, Simple

About The 28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, Longitud: 10.53mm, MPN: BU406G

onsemi Transistor digital, NPN 400 V TO-220, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, Longitud: 10.53mm, MPN: BU406G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

Onsemi Transistor Digital, BU406G, NPN 400 V TO-220, 3 Pines, Simple

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Specifications of Onsemi Transistor Digital, BU406G, NPN 400 V TO-220, 3 Pines, Simple

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Onsemi Transistor Digital, BU406G, NPN 400 V TO-220, 3 Pines, Simple
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TE Connectivity Disyuntor térmico / Disyuntor magnetotérmico W23 de 1 polo, 50 V dc, 250V ac, 35A, Anchura: 17.52mm, MPN: W23-X1A1G-35

TE Connectivity Disyuntor térmico / Disyuntor magnetotérmico W23 de 1 polo, 50 V dc, 250V ac, 35A, Anchura: 17.52mm, MPN: W23-X1A1G-35

TE Connectivity Disyuntor térmico / Disyuntor magnetotérmico W23 de 1 polo, 50 V dc, 250V ac, 35A.

    • Renesas Electronics Transceptor de bus, BiCMOS, Tipo de Entrada: 3 estados, MPN: ISL83488IBZ-T

    Renesas Electronics Transceptor de bus, BiCMOS, Tipo de Entrada: 3 estados, MPN: ISL83488IBZ-T

    Renesas Electronics Transceptor de bus, ISL83488IBZ-T, BiCMOS.

    • Gates Correa trapezoidal, 610mm, Sección Z Hi-Power, Longitud exterior: 648mm, Longitud Datum: 630mm, Altura: 6mm, MPN: 9001-10024
    • Renesas Electronics Circuito integrado de batería de backup, Ión-litio, QFN 16, 16 pines, 2,4 V, MPN: ISL6292-2CR4Z

    Renesas Electronics Circuito integrado de batería de backup, Ión-litio, QFN 16, 16 pines, 2,4 V, MPN: ISL6292-2CR4Z

    Renesas Electronics Circuito integrado de batería de backup, Ión-litio, QFN 16, 16 pines, 2,4 V.

    • Gates Correa trapezoidal, 530mm, Sección Z Hi-Power, Longitud exterior: 568mm, Longitud Datum: 550mm, Anchura Superior: 10mm, Altura: 6mm, MPN: 9001-20205
    • Renesas Electronics Referencia de tensión ISL60002CIH326Z-TK, SOT 23 ±1.0mV, Tensión Nominal: 5.5V, Tipo de Referencia: Precisión, Tipo de Montaje: Montaje superficial
    • Gates Correa trapezoidal, 849mm, Sección XPZ/3VX Quad Power 4, Longitud exterior: 900mm, Longitud Datum: 887mm, Anchura Superior: 9.7mm, Altura: 8mm, MPN: 9643-00887
    • onsemi Transistor digital, NPN 400 V TO-220, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, Longitud: 10.53mm, MPN: BU406G
    • Gates Correa trapezoidal, 849mm, Sección XPZ/3VX Quad Power 4, Longitud exterior: 900mm, Longitud Datum: 887mm, Anchura Superior: 9.7mm, Altura: 8mm, MPN: 9643-00887
    • onsemi Transistor digital, NPN 400 V TO-220, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, Longitud: 10.53mm, MPN: BU406G