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Onsemi Transistor Digital, MJF3055G, NPN 90 (Breakdown) V Dc TO-220, 3 Pines, Simple

About The 53 x 4.28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, MPN: MJF3055G

onsemi Transistor digital, NPN 90 (Breakdown) V dc TO-220, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, MPN: MJF3055G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

Onsemi Transistor Digital, MJF3055G, NPN 90 (Breakdown) V Dc TO-220, 3 Pines, Simple

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Specifications of Onsemi Transistor Digital, MJF3055G, NPN 90 (Breakdown) V Dc TO-220, 3 Pines, Simple

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Onsemi Transistor Digital, MJF3055G, NPN 90 (Breakdown) V Dc TO-220, 3 Pines, Simple
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Gates Correa trapezoidal, 670mm, Sección Z Hi-Power, Longitud exterior: 708mm, Longitud Datum: 695mm, Anchura Superior: 10mm, Altura: 6mm, MPN: 9001-20265
    • onsemi Transistor, NPN 10 A 400 V TO-220, 3 pines, 1 MHz, Simple, Corriente DC Máxima del Colector: 10 (Peak) A, 5 (Continuous) A, Tensión Máxima Colector-Emisor: 400 V dc, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 75 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: 12 V dc, Dimensiones: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: BUL45D2G
    • Gates Correa trapezoidal, 653mm, Sección Z Hi-Power, Longitud exterior: 691mm, Longitud Datum: 675mm, Anchura Superior: 10mm, Altura: 6mm, MPN: 9001-10026
    • onsemi Transistor digital, PNP -80 V D2PAK (TO-263), 2 + Tab pines, Simple, Número de Elementos por Chip: 1, Corriente Máxima Continua del Colector: 10 A, Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V dc, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Configuración: Único, Estándar de automoción: AEC-Q101, Dimensiones: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, MPN: MJB45H11G
    • Idec Actuador Deslizantes HS9Z-SH5 para uso con Interruptores de interbloqueo HS5 48.5 X 140.7 X 30.5mm 80 (HS5B) N, 90, Fuerza de tensión: 80 (HS5B) N, 90 (HS5E) N
    • Idec Actuador Ángulo ajustable (vertical) HS9Z-A53 para uso con Interruptores de interbloqueo HS5 72 X 49 X 18mm 1400No

    Idec Actuador Ángulo ajustable (vertical) HS9Z-A53 para uso con Interruptores de interbloqueo HS5 72 X 49 X 18mm 1400No

    Idec Actuador Ángulo ajustable (vertical) HS9Z-A53 para uso con Interruptores de interbloqueo HS5 72 X 49 X 18mm 1400No.

    • Gates Correa trapezoidal, 630mm, Sección Z Hi-Power, Longitud exterior: 668mm, Longitud Datum: 655mm, Anchura Superior: 10mm, Altura: 6mm, MPN: 9001-10025
    • onsemi Transistor digital, NPN 90 (Breakdown) V dc TO-220, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, MPN: MJF3055G
    • Gates Correa trapezoidal, 630mm, Sección Z Hi-Power, Longitud exterior: 668mm, Longitud Datum: 655mm, Anchura Superior: 10mm, Altura: 6mm, MPN: 9001-10025
    • onsemi Transistor digital, NPN 90 (Breakdown) V dc TO-220, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, MPN: MJF3055G