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STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

About The STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: STripFET II, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10

STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: STripFET II, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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KEMET Condensador electrolítico serie ALC10, 68μF, ±20%, 550V dc, de encaje a presión, 25 (Dia.) x 35mm, paso 10mm, Capacitancia: 68µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 25mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +85°C, Vida Útil: 10000 h @ +85 °C/550V dc/Ir, 16000 h @ +85 °C/550V dc, Resistencia de Serie Equivalente: 5.038Ω, Corriente de Pérdida: 0,2244 mA, Polarizado: Polar, MPN: ALC10A680BC550
    • RS PRO Pinza,, Acero Inoxidable, Orientación: Recto, Longitud Global: 140 mm, Tamaño de la Punta: Extrafinas, Distrelec Product Id: 30417608
    • KEMET Condensador de película, 10μF, ±5%, 400 V ac, 700 V dc, Montaje en orificio pasante, Capacitancia: 10µF, Serie: C4AT, Paso del Pin: 52.5mm, Longitud: 57.5mm, Profundidad: 30mm, Longitud del Pin: 6mm, Resistencia de Serie Equivalente: 4.2mΩ, Altura: 45mm, Dimensiones: 57.5 x 30 x 45mm, Dieléctrico: Polipropileno, Factor de Disipación: 5 x 10⁻⁴ % @1 kHz, Diámetro del Pin: 1.2mm, MPN: C4ATJBW5100A3MJ
    • KEMET Condensador de tántalo T356M107K020AT, 100μF, ±10%, 20V dc, Montaje en orificio pasante MnO2, Serie T356, Capacitancia: 100µF, Paso del Pin: 5.08mm, Altura: 18.8mm, Dimensiones: 10.2 (Dia.) x 18.8mm, Tipo de Electrolito: Sólido, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Diámetro: 10.2mm, Gama de material dieléctrico: Condensadores de tántalo, Factor de Disipación: 8%, Diámetro del Pin: 0.5mm
    • STMicroelectronics MOSFET STL110N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STL110N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: STripFET H7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.

    • STMicroelectronics MOSFET STW3N150, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple
    • DiodesZetex MOSFET ZXMP4A57E6TA, VDSS 40 V, ID 3,7 A, SOT-26 de 6 pines,, config. Simple

    DiodesZetex MOSFET ZXMP4A57E6TA, VDSS 40 V, ID 3,7 A, SOT-26 de 6 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 150 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.DiodesZetex MOSFET ZXMP4A57E6TA, VDSS 40 V, ID 3,7 A, SOT-26 de 6 pines,, config.

    • STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: STripFET II, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm.

    • DiodesZetex MOSFET ZXMP4A57E6TA, VDSS 40 V, ID 3,7 A, SOT-26 de 6 pines,, config. Simple

    DiodesZetex MOSFET ZXMP4A57E6TA, VDSS 40 V, ID 3,7 A, SOT-26 de 6 pines,, config. Simple

    DiodesZetex MOSFET ZXMP4A57E6TA, VDSS 40 V, ID 3,7 A, SOT-26 de 6 pines,, config.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 150 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.

    • STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: STripFET II, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm.