reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Toshiba MOSFET TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS De 3 Pines

About The Toshiba MOSFET TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS de 3 pines, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, Material del transistor: Silicio

Toshiba MOSFET TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS de 3 pines, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, Material del transistor: Silicio

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Toshiba MOSFET TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS De 3 Pines

More from Toshiba MOSFET TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS De 3 Pines, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 4V, Número De Elementos Por Chip: 1, Material Del Transistor: Silicio | Toshiba
Search

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Toshiba MOSFET TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS De 3 Pines

Category
Instockinstock

Last Updated

Toshiba MOSFET TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS De 3 Pines
More Varieties

Rating :- 9.88 /10
Votes :- 42
Infineon MOSFET IRFB7546PBF, VDSS 60 V, ID 75 A, TO-220 de 3 pines, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Modo de Canal: Mejora, Número de Elementos por Chip: 1, Material del transistor: Silicio
    • superficial, encapsulado SO, 6 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: TLP183(TPL,E(T
    • Infineon MOSFET IRFB4615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines

    Infineon MOSFET IRFB4615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines

    Infineon MOSFET IRFB4615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines.

    • Toshiba MOSFET TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, DFN8x8 de 5 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, Material del transistor: Silicio
    • Toshiba MOSFET TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, DFN8x8 de 5 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, Material del transistor: Silicio