Toshiba MOSFET TK60S06K3L, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 88 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Toshiba MOSFET TK60S06K3L, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Toshiba MOSFET TK60S06K3L, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |